标准解读 | AQG 324新版解读：SiC上车必备四大动态可靠性测试

随着新能源汽车、光伏储能等产业的发展，SiC MOSFET在800V/1200V高压平台快速上车，如何保障产品能否在高温、高压、高频的复杂车载环境中，稳定工作十年以上？

常规用于评估硅器件的传统静态测试（如HTRB），无法揭示SiC器件在真实应用中导致的可靠性风险，静态测试已显“力不从心”；栅氧化层退化与电压冲击耐受等失效机理，只有模拟在实际应用中承受的动态电压应力、高温环境以及频繁开关动作，才会被激活和暴露，因此需要更加精准的可靠性验证。

2025版AQG 324 Edition 04.1将HTFB、DGS、DRB、dyn.H3TRB四项SiC专项动态测试纳入宽禁带器件附录推荐验证项目。这标志着动态可靠性测试已成为SiC功率器件研发与产业化进程中的重点考核项目，也标志着行业对功率模块可靠性的验证，从“静态达标”迈向了“动态可靠”， 动态可靠性测试已成为下一代SiC功率模块量产上车的“入场券”。

AQG 324标准迭代

LV324

■ 适用对象：硅基IGBT功率模块

■ 未定义任何SiC动态测试项目，仅包含静态HTRB、H3TRB、功率循环等试验

■ 无DRB、dyn.H3TRB、DGS相关试验定义，不适配SiC高频dv/dt工况验证

AQG324 Edition 02.1 / 03.1

■ 仅在附录简要提及SiC器件动态应力风险，未标准化DRS/ dyn.H3TRB /DGS试验流程

■ 主体框架沿用硅基功率模块验证体系

AQG324 Edition 04.1 / 2025（现行版本）

■ 将DRB、dyn.H3TRB（Dynamic H3TRB）、DGS正式纳入标准SiC专项附录

HTFB 高温正向偏置 High-temperature forward bias

■ 测试目的：当SiC MOSFET内部的体二极管长期正向导通时，材料深处的晶体缺陷可能悄然扩展，引发性能不可逆衰减。HTFB 通过模拟体二极管在高温下的长时间正向导通，加速其双极退化过程，从而评估芯片制造商对这种退化机制的抑制水平。

■ 测试参数：HTFB暂无标准固定统一测试参数，全部试验条件由芯片供应商与终端客户技术协商确定。以下为示例参数，非标准规定值：

• 测试模式：AC模式
• Tj = 175 ℃
• 体二极管通AC电流
• VGS栅压：-5 V
• 脉冲频率(初始值)：100 Hz，占空比1:10（脉宽1 msec，单周期时间10 msec）
• 脉冲电流：110 A
• 通流时间：2 h

DGS 动态栅极应力测试 Dynamic Gate Stress

■ 测试目的：考核碳化硅功率MOSFET的栅极开关不稳定性（GSI），模拟其在实际运用中的高低电平频繁切换，SiC栅氧化层可靠性，使Vth出现漂移退化的情况。

■ 测试参数：

注：所建议的测试参数源自典型应用条件或基于最佳实践。因此，dVGS/dt和/或最大开关频率可能受限于模块设计（例如高CDS）。允许使用偏离参数，但必须满足客户要求。

图源ECPE AQG324 Release 04.1

■ 测试评价：VGS,th 或RDS,on 变化率大于 20%判定为失效。

DRB 动态反偏测试 Dynamic Reverse Bias

■ 测试目的：模拟车载高频开关工况下，器件反复承受高压dv/dt冲击，考核芯片终端钝化层、PN结长期稳定性。

■ 测试参数：